当前位置:首页 > 云计算 >

英特尔发布第二代Optane SCM:“披荆斩棘”,开疆辟土

发布时间:2019-09-27 15:37:40 来源:中国IDC圈 作者:The Register
[摘要]另外:144层NAND计划于2020年发布……另有消费级QLC闪存驱动器正伺机待发。 虽然相关细节信息不多,但英特尔公司已经正式公布其第二代Optan
另外:144层NAND计划于2020年发布……另有消费级QLC闪存驱动器正伺机待发。

虽然相关细节信息不多,但英特尔公司已经正式公布其第二代Optane技术方案,代号名为Barlow Pass,意指地势险峻的巴洛山口。此外,芯片巨头还透露正在开发144层QLC(四级单元)NAND技术。

芯片巨头同时在其位于新墨西哥州里奥兰珠市的工厂开设第二条Optane生产线,并在此前的第一条生产线上同步生产第二代晶圆。

在此次于首尔召开的英特尔内存与存储日发布会上,英特尔数据中心事业部产品管理高级总监Kristie Mann展示了下面这张演示图:

英特尔发布第二代Optane SCM:“披荆斩棘”,开疆辟土

Barlow Pass DIMM将于2020年正式发布,一同推出的还将包括至强CPU的Cooper Lake(14纳米)与Ice Lake(10纳米)版本。此外,第二代Alder Stream Optane SSD也将在明年推出。

预计到2020年,单端口第二代Optane企业级驱动器将配备第二代控制器,从而进一步提升其性能水平。

通过展示图,可以看到Optane的第三代与第四代发展路线图也已经基本设定,其中包括至强Sapphire Pass以及目前尚未定名的再下一代至强设计方案。

根据我们的估计,第一代DIMM的128GB、256GB以及512GB存储容量将在第二代版本中全面升级至256 GB、512GB以及1TB。

英特尔公司研究员Frank Hady也确认称,第二代Optane将拥有四层,这使得芯片尺寸增加了一倍。从理论上讲,这意味着英特尔也能够在各类Optane驱动器以及DIMM当中实现容量倍增的目标。

这一次英特尔仍然对技术细节有所保留,不过相信关于Barlow Pass的容量、使用寿命以及性能等指标将很快得到披露。

英特尔方面还表示,微软公司正着手更新其客户端操作系统以支持第二代Optane中的各项特性。

144层NAND

英特尔方面表示,96层QLC SSD将从下个季度开始向客户交付,而后他们将转而开发144层3D NAND产品,并从2020年开始正式向市场供货。这可能是将两个72层组件进行串叠,但仅仅只是猜测,我们将在得到明确答案后及时向大家汇报。

英特尔公司非易失性内存解决方案部门总经理兼高级副总裁Rob Crooke表示,英特尔正在为个人电脑以及笔记本电脑开发Optane持久性内存,从而彻底消除对外部存储方案的需求。通过切换至直接指向Optane内存——而非外部存储介质——的指针,新型应用程序的加载速度将得到显著提升,或者说有望瞬时完成。

英特尔公布665P:一款消费级QLC闪存驱动器

英特尔公司还在本次内存与存储日活动中公布了665P,一款速度超越原有660P产品的四级单元NAND闪存驱动器。

之前的660P为M.2式驱动器,采用PCIe 3.0 x4接口与NVMe v1.3接口。其支持每天0.1次全盘写入(DWPDF)并提供五年质保周期。该驱动器采用SLC写入缓存并内置256 MB DRAM。另外,它的随机读取/写入IOPS分别为22万/22万,连续读取与写入带宽则为1800 MB每秒。

以下是这款产品的实际外观:

英特尔发布第二代Optane SCM:“披荆斩棘”,开疆辟土

再来看此次新发布的665P,二者看起来非常相似:

英特尔发布第二代Optane SCM:“披荆斩棘”,开疆辟土

英特尔方面也展示了660P与665P两款产品在CrystalDiskMark v7基准测试中的性能差异,测试皆采用两款产品的1 TB版本。

测试结果汇总如下:

660P连续读取/写入速率——每秒1229/1333 MB

665P连续读取/写入速率——每秒1817/1888 MB

660P随机读取/写入IOPS——13137/37105

665P随机读取/写入IOPS——17279/47608

其中660P采用64层NAND,而665P采用96层结构。英特尔公司非易失性内存解决方案部门战略规划与市场营销负责人Dave Lundell指出,新一代采用的存储介质更先进,ASIC与固件也得到了提升。

665P计划于今年第四季度上市,目前具体价格尚未公布。

【返回首页】